【如何无损逆向工程苹果 A12 芯片？】7 纳米制程工艺之下，金属线之间的最小距离约为 35 至 40 纳米。瑞士的保罗·谢勒研究所的一个团队研发出世界上首个以非破坏性方式显示芯片内部布线的 X 射线叠层成像技术。该技术使用瑞士同步辐射光源（SLS），将带电粒子加速到接近光速生成 X 射线来透视芯片。

发布时间: 2019-10-16 13:10:01

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【如何无损逆向工程苹果 A12 芯片？】7 纳米制程工艺之下，金属线之间的最小距离约为 35 至 40 纳米。瑞士的保罗·谢勒研究所的一个团队研发出世界上首个以非破坏性方式显示芯片内部布线的 X 射线叠层成像技术。该技术使用瑞士同步辐射光源（SLS），将带电粒子加速到接近光速生成 X 射线来透视芯片。
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