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韩国媒体报道称,中国的长鑫存储(CXMT)目前正在合肥测试一条键合 DRAM试验产线,目标是在不使用 EUV 光刻的情况下实现高性能 DRAM。所谓键合 DRAM,是一种将存储单元阵列和外围电路分别在不同晶圆上制造,然后再将两片晶圆键合在一起的技术。通过这种方式,可以仅使用 DUV
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